排列在前二甲的干法刻蚀机厂商包括泛林半导体(I'am rescarch,I'AM),东京电子(Tokyo Electror,TEI')和应用材料公司

(Applicd Materials,AMAT)。事实上,尽管CM()S的特征尺寸在过去的十年闸(2001~2010年)已经从0,13um缩减到45nm,这一排序没有改变过。HAT2192WP-EL-E每个厂商都开发出各自不同的硬件体系,用来满足对片内和片间均匀性控制的苛刻需求。

   面对新材料和不断缩小器件尺寸的挑战,在2007年,I'am用获得专利的双频率技术, 为45nmェ艺节点的介质刻蚀开发出了多频率功率等离子刻蚀机2300Exelan Flex45。多加的频率用于底部电极。多频设计已经被证明增强了I艺的灵活性,并能够在同一腔体内

刻蚀不同的材料。除r增加了抽气速率,从物理和化学反应机理的观点出发,将⒛04年在 23O0Exclan Flex DD首次使用的双区静电卡盘和双气流馈人技术以及第二调渚气体和先进的边缘环等技术整合Lam Research在1992年就获得了TCP技术的专利,到⒛10年,该技术在32nm及以下I艺节点中一直扮演着重要的角色。⒛04年推出了用于65nm的23∞Ki四系列,它除强了泵的能力外,还增加了可调谐静电卡盘(EKl),并能够在晶圆中心与边缘实行独立的温度控制。这种可调谐的功能可以集成到一步步控制晶圆温度,增大了△艺窗口,却不会对等离子发生扰动。晶圆刻蚀完成后,执行无晶圆自动清洗(WAC)和先进的腔室条件控制(AC3)操作。在⒛08年,Ki四3x,Kivo系列的第三代产品,开始将多lx静电卡盘温度控制和边缘气流调整方案用于32nm丁艺节点,这些与增强反应器对称的措施一起使得CD

均匀性达到了hm。此外,先进的预涂层反应腔清洗专利技术,也确保了每一片晶圆刻蚀的高度重复性。