容量变化规律
发布时间:2019/1/24 19:18:50 访问次数:615
容量变化规律
变容二极管加反向电压时可以相当于电容器,当反向电压改变时,其容量就会发生变化。HA7352NE下面以图⒍21所示的电路和曲线来说明变容二极管容量调节规律c
(a)电路图 (b)特性曲线
图⒍21 变容二极管的容量变化规律
在图⒍21(a)电路中,变容二极管VD加有反向电压,电位器RP用来调节反向电压的大小。当RP滑动端右移时,加到变容二极管负端的电压升高,即反向电压增大,VD内部的PN结变厚,内部的P、N型半导体距离变远,形成的电容容量变小;当RP滑动端左移时,变容二极管反向电压减小,VD内部的PN结变薄,内部的P、N型半导体距离变近,形成的电容容量增大。
也就是说,当调节变容二极管反向电压大小时,其容量会发生变化,反向电压越高,容量越小,反向电压越低,容量越大。
图6砭1(b)为变容二极管的特性曲线,它直观表示出变容二极管两端反向电压与容量变化规律,如当反向电压为2V时,容量为3pF,当反向电压增大到6V时,容量减小到即F。
容量变化规律
变容二极管加反向电压时可以相当于电容器,当反向电压改变时,其容量就会发生变化。HA7352NE下面以图⒍21所示的电路和曲线来说明变容二极管容量调节规律c
(a)电路图 (b)特性曲线
图⒍21 变容二极管的容量变化规律
在图⒍21(a)电路中,变容二极管VD加有反向电压,电位器RP用来调节反向电压的大小。当RP滑动端右移时,加到变容二极管负端的电压升高,即反向电压增大,VD内部的PN结变厚,内部的P、N型半导体距离变远,形成的电容容量变小;当RP滑动端左移时,变容二极管反向电压减小,VD内部的PN结变薄,内部的P、N型半导体距离变近,形成的电容容量增大。
也就是说,当调节变容二极管反向电压大小时,其容量会发生变化,反向电压越高,容量越小,反向电压越低,容量越大。
图6砭1(b)为变容二极管的特性曲线,它直观表示出变容二极管两端反向电压与容量变化规律,如当反向电压为2V时,容量为3pF,当反向电压增大到6V时,容量减小到即F。