连接器处搭接不良是结构设计中常见的EMC毛病c如果存在搭接不良,则该处会在高频下产生较高的阻抗,该阻抗犹如“‘P甘威l’有多大影响”中所提到的“Rg龃”(原理兀相应案例),最终产生辐射。 LM4040AIM3-3.0+T用铜箔胶带将电缆的屏蔽层与控制板面板良好搭接,情况没有改善。在串行口线上,靠近RJ一笱连接器处将屏蔽层剥开一缺口,剪断电缆里面的RⅩ、Ⅸ及GND线,电缆屏蔽层仍通过RJ-笱连接器连接产品面板(金属),测得1∞MHz的辐射减小到⒛dBuV/m,说明屏蔽串行口线的辐射为电缆内部的信号耦合到屏蔽层上引起的。仅接上刚才断口的GND线,测得1∞MHz处的辐射又增大到⒍dBuV/m,证明控制板PCB上的GND非常不“十净”,充满共模噪声;再断开电缆内的GND与控制板PCB GND的迮接,而用铜丝将 GND线与PCB板内部的保护地PGND(PGNI)为控制板外围的一圈)相连(此产品中的GND与PGND是通过4个0Ω电阻和6个电容相连的,所以此动作在电路原理上没有改变),测试1CXl MHz处的辐射为61dBuⅤ/m,证明控制板PCB上的PGND噪声也很大。

   控制板中的GND与PGND是通过4个0Ω的电阻和6个电容相连的,试验中去除这些电容、电阻后再进行测试,情况没有改善c叉注意到PGND在控制板内的面积较大,可能会通过近场耦合拾取板内的噪声”把RJ-笱取下,剪断两根地针,再用一根约3cm长的细线引出PIN4脚(GND针),但此细线在机柜内部悬空,1O0MHz处还有伯dBuⅤ/m。把此悬空细线改为接到机柜面板金属壳体上,1∞MHz处的辐射较小,为贸dBuWm,说明机框内1OO MHz处的辐射很大c将细线改接到PCB的GND上,100MHz处的辐射立即又增大到57dBuⅤ/m。将细线改为通过一个100Ω/1OO MHz的磁珠接到PCB的地上,100M呢处的辐射降为51dBuⅤ/mc再在磁珠后面加一个”0pF的电容接到机柜的金属面板(外壳)上,再进行测试,100MHz处的辐射降为32dBuⅤ/m,如图6.6所示。