静电放电时,通常通过以下4种方式影响电子设备
发布时间:2018/12/31 17:17:38 访问次数:511
静电放电时,通常通过以下4种方式影响电子设备:
(1)初始的电场能容性耦合到表面积较大的网络上,并在离ESD电弧100mm处产生高达数千伏每米的高电场。
(2)电弧注入的电荷、KA7810ETU电流可以产生以下的损坏和故障:①穿透元器件的内部薄绝缘 层,损毁MOsFET和CMOS的元器件栅极;②CMOS器件中的触发器锁死;③短路反偏的PN结;④短路正向偏置的PN结;⑤熔化有源器件内部的焊接线或铝线。
(3)电流会导致导体上产生电压脉冲(σ=Ldj/d莎),这些导体可能是电源、地或信号线,这些电压脉冲将进入与这些网络相连的每一个元器件。
(4)电弧会产生一个频率范围在I~500MHz的强磁场,并感性耦合到邻近的每个布线环路中,在离ESD电弧100mm远处的地方产生高达数十安每米的磁场。电弧辐射的电磁场会耦合到长的信号线上,这些信号线起到了接收天线的作用。对于本案例出现问题的解释,完全可以参考案例10,只是这里出现的是螺钉而非DB连接器。
【处理措施】
去除绝缘漆,使静电泄放通道保持良好的电连续性。实践证明,具有长宽比小于5,且没有任何缝隙、通孔的单一金属导体具有良好的电连续性。
【思考与启示】
(1)接地导体的电连续性设计对提高系统的抗ESD能力极为重要。
(2)ESD定位中,在金属搭接点测试中出现问题,首先要检查搭接是否良好。
(3)喷漆导致电连续性不好是结构设计、工艺处理中EMC的常见问题。从这方面来讲,产品良好的EMC特性,不仅是设计出来的,还包括工艺、生产、流程等。
静电放电时,通常通过以下4种方式影响电子设备:
(1)初始的电场能容性耦合到表面积较大的网络上,并在离ESD电弧100mm处产生高达数千伏每米的高电场。
(2)电弧注入的电荷、KA7810ETU电流可以产生以下的损坏和故障:①穿透元器件的内部薄绝缘 层,损毁MOsFET和CMOS的元器件栅极;②CMOS器件中的触发器锁死;③短路反偏的PN结;④短路正向偏置的PN结;⑤熔化有源器件内部的焊接线或铝线。
(3)电流会导致导体上产生电压脉冲(σ=Ldj/d莎),这些导体可能是电源、地或信号线,这些电压脉冲将进入与这些网络相连的每一个元器件。
(4)电弧会产生一个频率范围在I~500MHz的强磁场,并感性耦合到邻近的每个布线环路中,在离ESD电弧100mm远处的地方产生高达数十安每米的磁场。电弧辐射的电磁场会耦合到长的信号线上,这些信号线起到了接收天线的作用。对于本案例出现问题的解释,完全可以参考案例10,只是这里出现的是螺钉而非DB连接器。
【处理措施】
去除绝缘漆,使静电泄放通道保持良好的电连续性。实践证明,具有长宽比小于5,且没有任何缝隙、通孔的单一金属导体具有良好的电连续性。
【思考与启示】
(1)接地导体的电连续性设计对提高系统的抗ESD能力极为重要。
(2)ESD定位中,在金属搭接点测试中出现问题,首先要检查搭接是否良好。
(3)喷漆导致电连续性不好是结构设计、工艺处理中EMC的常见问题。从这方面来讲,产品良好的EMC特性,不仅是设计出来的,还包括工艺、生产、流程等。
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