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ICL3222CBZ半导体表面的电子亲和能

发布时间:2018/12/21 21:19:27 访问次数:1842

    分别为溶液相对于孤立分子、晶体相对于溶液发生的光谱红移有机材料中的电子在不同能级之间的跃迁、不同分子之间的运动产生了各种物理过程,同时体现了材料的不同性质。孤立分子和有机晶体的能级图中,包含了几个比较重要的有机光电子概念,介绍如下。

    最高占据能级和最低空置能级

    最高占据能级(the Ⅱghe眈0ccupied mo1ecular o此ital,HOMo,定义为分子的填充轨道中能量最高的能级,与实验值中的电子解离能相等trP);最低空置能级(the loWest unoccupied molecular orbital,LUMo)定义为分子的空置轨道中能量最低的能级,与实验值中的电子亲和能相等σ⑷。结合能带理论,通常情况下,固体材料中的HOMO和LUMO分别相当于价带←alence band,VB)顶端和导带(conducting band,CB【底端。

    电子亲和能、解离能

   物理上, ICL3222CBZ半导体表面的电子亲和能(electron aⅢnity)〃定义为材料表面处于导带底端的电子进人表面真空能级所需要的能量。类似地,解离能Conization potentia1)JP定义为材料表面处于价带顶端的电子进人表面真空能级所需要的能量,如图2,16所示。在半导体材料中,E/和rP与能带弯曲直接相关;图2,16中,由于VB和CB能带的向上弯曲,导致了EⅡ与rP分别小于没有能带弯曲的情形。在金属材料中,由于价带与导带之间的能隙为零,″和fP都趋近于材料的功函数(见后面功函数部分)。



    分别为溶液相对于孤立分子、晶体相对于溶液发生的光谱红移有机材料中的电子在不同能级之间的跃迁、不同分子之间的运动产生了各种物理过程,同时体现了材料的不同性质。孤立分子和有机晶体的能级图中,包含了几个比较重要的有机光电子概念,介绍如下。

    最高占据能级和最低空置能级

    最高占据能级(the Ⅱghe眈0ccupied mo1ecular o此ital,HOMo,定义为分子的填充轨道中能量最高的能级,与实验值中的电子解离能相等trP);最低空置能级(the loWest unoccupied molecular orbital,LUMo)定义为分子的空置轨道中能量最低的能级,与实验值中的电子亲和能相等σ⑷。结合能带理论,通常情况下,固体材料中的HOMO和LUMO分别相当于价带←alence band,VB)顶端和导带(conducting band,CB【底端。

    电子亲和能、解离能

   物理上, ICL3222CBZ半导体表面的电子亲和能(electron aⅢnity)〃定义为材料表面处于导带底端的电子进人表面真空能级所需要的能量。类似地,解离能Conization potentia1)JP定义为材料表面处于价带顶端的电子进人表面真空能级所需要的能量,如图2,16所示。在半导体材料中,E/和rP与能带弯曲直接相关;图2,16中,由于VB和CB能带的向上弯曲,导致了EⅡ与rP分别小于没有能带弯曲的情形。在金属材料中,由于价带与导带之间的能隙为零,″和fP都趋近于材料的功函数(见后面功函数部分)。



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