当材料中的电子受到激发而跃迁到较高能级时,材料由基态变为激发态。其中激发态中具有较高能量的电子与材料中的某空穴有一定的束缚关系。这种较高能量的电子和与之有束缚作用的空穴一起组成了激子。有机半导体中的激子通常产生于分子内或者产生于相邻分子间,分别称为Frenkel激子或者电荷转移rCTJ激子。这两种激子中,电子和空穴之间束缚力较强,激子半径较小;而无机半导体中的激子通常为通过能带之间的跃迁而产生的半径较大、束缚力较弱的Wannier激子。由于有机材料中能级的分立性、能带的狭窄性、材料的无序性和无定形性,以及陷阱和缺陷的普遍性,使有机半导体中的激子表现出定域性,且扩散长度较短。

    MIC2562A-1BM有机半导体中的载流子通常定域在分子内,而无机半导体中的载流子则具有离域化的特点。因此有机半导体中载流子迁移率普遍低于无机半导体。在室温下,无机半导体的载流子迁移率为102~104cm2/(Ⅴ・Θ,而高度有序的有机半导体中载流子迁移率的上限约为硐cm2/(V・s)。在其他无序小分子体系中,典型迁移率数值通常为10ˉ5~10J cm2/(V・θ。载流子迁移率(⑷的大小是决定材料导电性的重要指标,它与电导率(c,J的关系如下:,式中,刀是载流子密度,|g|是单位电荷电量(一个电子的电荷电量为1,6×10丬9o。因此,材料的电导率同时与载流子的迁移率和浓度成正比。由于有机材料中载流子的浓度偏小,因此要获得高导电性的有机材料必须大幅度提高材料中载流子浓度。方法之一是高浓度掺杂。例如,与无机半导体的掺杂机制不同,导电有机材料中掺杂物质的浓度在1%~5%,远远高于无机半导体中掺杂浓度(10“量级)。