励磁控制系统过电压的抑制措施有哪些?
发布时间:2018/7/28 21:56:50 访问次数:438
励磁控制系统过电压的抑制措施有哪些?J00-0065NL
答:过电压产生的原因主要是:雷击、操作、换相、拉弧、失步、非全相合间等。励磁在评价非线性电阻特性时,通常以非线性电阻系数卩来表征,此系数仅与电阻阀片的材质有关。siC非线性电阻系数`=0.25~0・5;Zllf)非线性电阻系数`=0.025~0・05。线性电阻灭磁时,存在过电压问题;非线性电阻灭磁,可以有效牵制住电压的上升高度。
siC灭磁电阻和zno灭磁电阻有何区别?
答:非线性电阻主要包括⒏C灭磁电阻和ZnO灭磁电阻,两者有以下两点显著不同。
(1)伏安特性不同,⒊C灭磁电阻较软,非线性系数`为0.25左右;ZnO灭磁电阻较硬,非线性系数`为0.04左右。
(2)由于伏安特性的特点,SiC灭磁电阻的阀片有最大电压限制,以防止阀片边缘爬电燃弧。最大电压限制值对应有最大电流限制值,因此,设计时必须规定灭磁过程最大电流值小于最大电流限制值。
励磁控制系统过电压的抑制措施有哪些?J00-0065NL
答:过电压产生的原因主要是:雷击、操作、换相、拉弧、失步、非全相合间等。励磁在评价非线性电阻特性时,通常以非线性电阻系数卩来表征,此系数仅与电阻阀片的材质有关。siC非线性电阻系数`=0.25~0・5;Zllf)非线性电阻系数`=0.025~0・05。线性电阻灭磁时,存在过电压问题;非线性电阻灭磁,可以有效牵制住电压的上升高度。
siC灭磁电阻和zno灭磁电阻有何区别?
答:非线性电阻主要包括⒏C灭磁电阻和ZnO灭磁电阻,两者有以下两点显著不同。
(1)伏安特性不同,⒊C灭磁电阻较软,非线性系数`为0.25左右;ZnO灭磁电阻较硬,非线性系数`为0.04左右。
(2)由于伏安特性的特点,SiC灭磁电阻的阀片有最大电压限制,以防止阀片边缘爬电燃弧。最大电压限制值对应有最大电流限制值,因此,设计时必须规定灭磁过程最大电流值小于最大电流限制值。