(1) “集一射”极额定电压I/c Es。它是“栅一射”极短路时的IGBT最大耐压值,是MIC2561-1BM根据器件的雪崩击穿电压规定的。

   (2) “栅一射”极额定电压%Es。IGBT是电压控制器件,靠加到栅极的电压信号来控制IGBT的导通和关断,而I/GEs是栅极的电压控制信号额定值。通常,IGBT对栅极的电压控制信号相当敏感,只有栅极在额定电压值很小的范围内,才能使IGBT导通,而不致损坏。

（3） “栅一射”极开启电压%豇曲)。它是指使IGBT导通所需的最小“栅一射”极电压。通常,IGBT的开启电压%敢伍)在3~5.5Ⅴ之间。

（4）集电极额定电流Jc。它是指在额定的测试温度(壳温为25℃)条件下,IGBT所允许的集电极最大直流电流。

（5） “集一射”极饱和电压I/c,Eo。IGBT在饱和导通时,通过额定电流的“集一射”极电压,代表了IGBT的通态损耗大小。通常,IGBT的“集一射”极饱和电压%Ec,在1,5-3V之间。