欲使IGBT关断时,给栅极施加反向脉冲电压-%M,在此反向电压作用下,内部等效MOSFET输入电容放电,内部等效GTR仍然导通,气~r6时间内,集电极电流、MIC2560-1BWM电压无明显变化,这段时间定义为存储时间rs。七时刻后,MOSFET开始退出饱和,器件电压随之上升,PNP晶体管集电极电流无明显变化。莎7时刻%E上升到接近t/c・M,%~莎7这段时间称电压上升时间民r。之后,MOsFET退出饱和,GTR基极电流下降,集电极电流减小,从栅极电压刊无E的脉冲后沿下降到其幅值的⒛%的时刻起,到集电极电流下降至90%几M止(约为兔~幻),这段时间为关断延迟时间兔。此后,%E继续衰减,到兔时刻,%E下降到EfT,MOsFET关断,PNP晶体管基极电流为零,集电极电流下降到接近于零。集电极电流从90%Jc・M下降至镐cM的这段时间为电流下降时间枷由于晶体管内部存储电荷的消除还需要一定时间,因此气以后,还有一个尾部时间h,这段时间内,由于“集一射”极电压己经建立,会产生较大的损耗。定义r5~气这段时间为关断时间兔″,即莎。内部由于双极型PNP晶体管的存在,带来了通流能力增大器件耐压提高、器件通态压降降低等好处,但由于少了储存现象的出现,使得IGBT的开关速度比电力MOsFET的速度要低。