1.转移特性MIC2026-1BM

   栅源电压乙圮s与漏极电流fD之间的关系称为转移特性,如图2.13所示,特性曲线的斜率dJD/d乙忆s表示电力场效应管的放大能力,用跨导gin表示.

   2.输出特性

   以“栅一源”电压已咏为参变量,反映漏极电流JD与漏极电压已钛间关系的曲线簇,称为电力MOsFET的输出特性,如图2.14所示。输出特性可划分为4个区域:非饱和区I、饱和区Ⅱ、截止区Ⅲ、雪崩区Ⅳ。在非饱和区I/Ds较小,当I/Gs为常数时,fD与Lbs几乎呈线性关系。在饱和区,漏极电流几乎不再随漏源电压变化。当%s大于一定的电压值后,漏极PN结发生雪崩击穿,进入雪崩区Ⅳ,此时漏电流突然增大,直至器件损坏。