根据导电沟道的材料不同,结型场效应管分为N沟道结型场效应管和P沟道结型 场效应管。 H27U2G8T2MTP-BC结型场效应管的结构示意图和图形符号如图3-孓16所示。它在一块N型(或P型)硅半导体材料的两侧各制作一个PN结。N型(或P型)半导体的两个极分别叫作漏极(D)和源极(s),把两个P区(或N区)连在一起引出的电极叫作栅极(G)。两个PN结中间的N型(或P型)区域称为导电沟道(沟道就是电流通道)。

   绝缘栅型场效应管

   绝缘栅型场效应管的结构示意图和图形符号如图3-5-17所示。

绝缘栅型场效应管按其工作状态可以分为增强型和耗尽型两类,每类又分为P型沟道和N型沟道。

   绝缘栅型场效应管在一块掺杂浓度低的P型(或N型)硅片上,用扩散的方法形成两个高掺杂的N型区(或P型区),分别作为源极(s)和漏极(D)。在两个N型区(或P型区)之间的硅片表面上制作一层极薄的二氧化硅(so2)绝缘层,使两个N型区(或P型区)隔绝起来,在绝缘层上面蒸发一个金属电极――栅极(G)。由于栅极和其他电极及硅片之间是绝缘的,所以称之为绝缘栅型场效应管。从整体上说,它由金属、氧化物、半导体组成,因此又称其为金属一氧化物―半导体场效应管,简称为MOs场效应管。