扫描光学显微方法(Scanning Optical Microscopy,S()M)是IC失效定位另一种常用及有效的方法,PM30RSF060业界因没备制造商的不同,同一类型的设备有不同的名称,但其基本原理是共通的,这些技术利用波长为1064nm或134Onm的雷射扫描芯片正面或背面。1064nm的雷射激发出电子-空穴对,常称为光束诱发电压调变(I'ight Induced Voltage Alternation,I'IVA);1340nm的雷射激发的能量,则被芯片以热的形式吸收,被吸收的能量引起被扫描处特征阻值的变化,常称为光速诱发电阻变化(Infrared Optical Bcam Induced ResistanccChange,OBIRCH)。

   LIVA

   当波长为1064nm雷射扫描并照射IC表面时,冈其波长比硅的禁带宽度(1100nm)略低,其光子能量略大于硅的带隙,发生本征吸收,价带电子将被激发至导带,同时在价带屮形成空穴,在芯片中激发出电子一空穴对,非平衡的电子和帘穴可越过禁带发生辐射复合或通

过禁带中的局域态发生辐射复合.并形成非平衡的电流,绘出影像。需射照射在缺陷处可产生高于常态3~4个数量级的LIˇA光子流,此法是给定电流,量测相应的电压调变,较适合来做有PN接面特性的定位。如连接到PN结的金属互连开路和某些缺陷本身能增强电子-空 穴对复合,产生较强的LIˇA信号。HⅥ`定位技术灵敏度高,空问分辨率可达(0.75um,样品制备简单,同PEM类似。但因为芯片级产品的复杂性,虽然LIVΛ影像/亮点表示该处存在高于周边的电子一空穴复合产生的光子流,真正引起失效的位置和I'IVA亮点不一定吻合,失效分析员对所分析产品的设计和版图及物理原理均要有足够的了解。