液晶定位技术是O.35um及以L制程十分有效的失效定位手法,广泛用于静电损伤失效(clectrostatic discharge failures)、栅氧化层与时间相关的介质击穿(TDI)B)、 PCF7991AT晶频(MetalWhiskers)和I艺引起的短路漏电流增大甚至断路等失效。

   液晶热点检测技术是一种快速、便宜的分析方法。除了芯片表面清洁外,不需复杂的样品制备。空间分辨率和热分辨率较高,目前已分别达到1um和3uw9但是液晶热点检测技术是正面失效定位方法c随着r朝深亚微米尺寸发展,器件△作电压不断下降,金属互连层增加到8~9层,甚至10层,引起芯片失效的热点的能量越来越小,底层金属或前段制程缺陷产生的热点也变得微弱,经过多层金属的热扩散,到达芯片表面的热点常低于液晶的检测灵敏度,使液晶检测技术在深亚微米制程失效分析中的应用受到限制。另外,引起失效的热点不能太靠近大电流处(large sources of heat),囚为高能耗热点会掩盖真正的缺陷引起的热点。液晶检测技术对CM()s器件较为敏感,TTI'器件囚其能耗较大,液晶检测技术的应用受到限制。