晶片振荡清洗是一种无接触和无刷洗去除颗粒技术。超声发生器一般安装在清洗槽的底部或侧面,S912XD64F2MAA在超声清洗时,晶片浸泡在施以10~100kHz的溶液中,高频能量传递产生压力波,进而在溶液里产生微小泡泡,这些泡泡快速形成并破灭,产生振荡波冲击晶片表面,使颗粒松动并被去除。但副作用是,在清洗过程中,超声能量传输会对膜层产生损害。现在清洗系统常用兆频声波(约1000kHz),它的频率比超声波高,大的泡泡来不及形成,而且表面损坏现象减少。一组兆声发生器可产生50~1200W的能量,当声压波在液体中传播时,作用在晶片颗粒上的这些压力波能快速去除颗粒.如图9.5所示。兆声振荡可用在SC1溶液中,这种合并清洗有更高的去除效率,而且在保持相同去除能力的前提下,sC1的温度可以降低到35℃以下(45nm I艺以下很多使用25℃)「°。为提高细小颗粒的去除能力,在兆声槽的超纯水中,引人溶解氮气,去除颗粒效果会更好,且对细线宽损伤较小。这是因为溶解氮气可吸收能量,缓解兆频声波的直接冲击力,且获取能量的氮气,有较强的渗透和解离能力。

   90nm CMOs制程以下,器件朝更高集成度方向发展,线宽越来越小,原来适宜用兆声波去除颗粒的方法,此时面临断线的可能(如主区和多晶硅线),使良率下降。因此应考虑在关键的清洗步骤,如浅沟渠隔离刻蚀清洗和栅极刻蚀以后的清洗,不用或慎重使用兆声波去除颗粒(即使要用,应选低能量的兆声波)。