千法刻蚀工艺经验模型的主流侧重于采用有限的实验数据或者日常生产数据验证。后VP101X12BQC-4者由于缺少能够确保验证模型可靠性的“活性”,因而不是第一选择。此外,黑箱建模困难,这需要能够仅仅通过常规的批量或者单点的测量来预测空间分布指数,囚此,替代方案是利用基于基本原理的模拟器为降阶数学模型开发提供一个可靠的基础这至少在实际设各制造初始阶段是有吸引力的。Zhang(2002年)1ll]禾刂用2D―MPRES在8in的晶圆上进行氧等离子刻蚀光刻胶的实验设计,实验条件定为ICP功率150~750W;RF偏置100~1000V;02流速50~300sccm;压力5~50mTorr。其中的10%的实验设计(16z次)通过一个整个晶圆的干涉传感器(CCD照相机)原位收集的方法进行实验数据的验证。