在高介电常数栅和金属电极的整合结构中,有两个互相竞争的方法:金属栅极置前和金属栅极置后。 TC62D722CFNG在栅极置后工艺中,包含了虚拟栅的去除。当我们把它和嵌入式锗化硅工艺相结合,PMOS器件的性能在栅极置后的整合流程中,可以获得一个主要的优势就是:可以提高大马士革多晶硅栅结构形成后带来的应力效果。当我们决定栅极置前和栅极置后哪种工艺用来整合进人高介电常数栅和金属电极的工艺流程中,这是一个主要的考虑因素。下面是一个把嵌人式锗化硅工艺和金属栅极置后工艺相结合的整合流程的简单例子。

   (1)包括源/漏扩散区浅结形成工艺在内的前续工艺。  ˉ

   (2)源/漏区的硅衬底刻蚀工艺。