飞兆推出全新30V汽车应用MOSFET
发布时间:2007/8/30 0:00:00 访问次数:470
飞兆半导体推出四款30V、N沟道PowerTrench MOSFET，在小尺寸封装中提供高效率和耐用性，能满足今日最具挑战性和讲究空间应用的汽车应用要求。新型FDD044AN03L、FDU044AN03L、FDD068AN03L和 FDU068AN03L备有D-PAK和I-PAK两种封装选项，适用于表面安装或通孔安装设计。在最大3.9毫欧(VGS=10V)条件下具有较高的功率密度和较小的封装尺寸， FDD044AN03L和FDU044AN03L分别采用TO-252(D-PAK)和TO-251(I-PAK)封装方式，能在30V下提供最低的RDS(on)。
四款MOSFET器件均符合“汽车电子委员会”发布的分立半导体器件可靠性认可测试步骤AEC-Q101标准。通过符合这项重要的规格标准，飞兆半导体保证汽车和高可靠性工业用户能享用现成的产品解决方案，而无需进行额外的认可测试。这些器件的典型应用包括：用于防锁定刹车系统(ABS)、雨刮、HVAC风扇、座椅调整以及车窗开关等的电机控制。
FDD044AN03L、FDU044AN03L、FDD068AN03L和FDU068AN03L具有改善的反向恢复时间(trr)和反向恢复电荷(QRR)特性，以降低开关噪声，从而减少体二极管的固有损耗，并降低EMI和RFI。除电机控制外，这些产品还可用于各种体负载控制应用。
飞兆半导体分立汽车产品市务总监Steve Ahrens称：“这些新型30V MOSFET性能卓越，可在小至D-PAK的封装中提供低至3.9毫欧的RDS(on)。除了协助用户满足对汽车电子解决方案日益增长的空间需求外，这些产品还通过提供低导通电阻和优良的耐用性，为电机控制应用提供高性能。”
飞兆半导体推出四款30V、N沟道PowerTrench MOSFET，在小尺寸封装中提供高效率和耐用性，能满足今日最具挑战性和讲究空间应用的汽车应用要求。新型FDD044AN03L、FDU044AN03L、FDD068AN03L和 FDU068AN03L备有D-PAK和I-PAK两种封装选项，适用于表面安装或通孔安装设计。在最大3.9毫欧(VGS=10V)条件下具有较高的功率密度和较小的封装尺寸， FDD044AN03L和FDU044AN03L分别采用TO-252(D-PAK)和TO-251(I-PAK)封装方式，能在30V下提供最低的RDS(on)。
四款MOSFET器件均符合“汽车电子委员会”发布的分立半导体器件可靠性认可测试步骤AEC-Q101标准。通过符合这项重要的规格标准，飞兆半导体保证汽车和高可靠性工业用户能享用现成的产品解决方案，而无需进行额外的认可测试。这些器件的典型应用包括：用于防锁定刹车系统(ABS)、雨刮、HVAC风扇、座椅调整以及车窗开关等的电机控制。
FDD044AN03L、FDU044AN03L、FDD068AN03L和FDU068AN03L具有改善的反向恢复时间(trr)和反向恢复电荷(QRR)特性，以降低开关噪声，从而减少体二极管的固有损耗，并降低EMI和RFI。除电机控制外，这些产品还可用于各种体负载控制应用。
飞兆半导体分立汽车产品市务总监Steve Ahrens称：“这些新型30V MOSFET性能卓越，可在小至D-PAK的封装中提供低至3.9毫欧的RDS(on)。除了协助用户满足对汽车电子解决方案日益增长的空间需求外，这些产品还通过提供低导通电阻和优良的耐用性，为电机控制应用提供高性能。”
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