滤波器差模特性在很大程度上受线圈的结构影响
发布时间:2017/7/29 22:23:06 访问次数:900
共模扼流圈Lc由两个绕在同一个高磁导率磁芯上的绕组构成,它们的结构使差模电流产生的磁场相互抵消,但对共模电流则呈现大的感抗值,故可取得良好的滤波效果。 M25PE10-VMN6TP这种结构可以以较小体积获得较大的电感值,并且不用担心由于工作电流导致饱和。Lc的电感量一般为1~⒛0mH之间,典型使用范围为10~100mH之间。每个绕组的电感可以衰减相对于地的共模干扰电流,但只有漏电感才能衰减差模干扰电流。滤波器差模特性在很大程度上受线圈的结构影响,因为线圈的结构决定了漏电感。较大的漏电感能够提供较大的差模衰减,但付出的代价是磁芯的饱和电流降低。
共模电容器Cu和C、衰减共模干扰,当C诏很大时,这两个电容器对差模干扰没有太大的影响。Cy电容器的有效性在很大程度上由设备的共模源阻抗决定。共模源阻抗一般是耦合到地的寄生电容的函数,它由电路的结构方式和电源变压器一、二次侧间的分布电容等决定,一般会超过1000pF。由Cy的分流作用提供的共模衰减一般不会超过⒛dB。
共模扼流圈是更为有效的共模抑制器件,当Cy受到严格限制时,可能需要一个以上的共模扼流圈组合(如图8-6所示的Ld、Lc2)。
共模扼流圈Lc由两个绕在同一个高磁导率磁芯上的绕组构成,它们的结构使差模电流产生的磁场相互抵消,但对共模电流则呈现大的感抗值,故可取得良好的滤波效果。 M25PE10-VMN6TP这种结构可以以较小体积获得较大的电感值,并且不用担心由于工作电流导致饱和。Lc的电感量一般为1~⒛0mH之间,典型使用范围为10~100mH之间。每个绕组的电感可以衰减相对于地的共模干扰电流,但只有漏电感才能衰减差模干扰电流。滤波器差模特性在很大程度上受线圈的结构影响,因为线圈的结构决定了漏电感。较大的漏电感能够提供较大的差模衰减,但付出的代价是磁芯的饱和电流降低。
共模电容器Cu和C、衰减共模干扰,当C诏很大时,这两个电容器对差模干扰没有太大的影响。Cy电容器的有效性在很大程度上由设备的共模源阻抗决定。共模源阻抗一般是耦合到地的寄生电容的函数,它由电路的结构方式和电源变压器一、二次侧间的分布电容等决定,一般会超过1000pF。由Cy的分流作用提供的共模衰减一般不会超过⒛dB。
共模扼流圈是更为有效的共模抑制器件,当Cy受到严格限制时,可能需要一个以上的共模扼流圈组合(如图8-6所示的Ld、Lc2)。
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