不但模拟电路区域的远端存在模拟电路工作地与参考接地板或金属外壳互连(直接连接或通过电容连接),TAS5534DGGR而且数字电路的低电位侧(图6.弘中的zl左侧)的数字电路工作地与参考接地板或金属外壳也存在互连(直接连接或通过电容连接),如图6.86所示。在这种情况下将产生更大的数模混合干扰:

   图6.85模拟电路工作地与参考接地板或金属外壳互连原理示意图

   模拟电路区域存在I/0电缆,I/0电缆与参考接地板或金属外壳之间形成较低的阻抗(如150Ω),如图6,87所示。第四种,不但模拟电路区域存在I/0电缆,I/0电缆与参考接地板或金属外壳之间形成

较低的阻抗(如150Ω),而且数字电路区域也存在I/o电缆或存在数字电路的低电位侧的数字电路工作地与参考接地板或金属外壳也存在互连(直接连接或通过电容连接),如图6.88所示。