图5.2显示了电容的等效电路,它的阻抗可以表示为式(5.1): ,z为阻抗(Ω);Rs为等效串联电阻(Ω);L为等效串联电感(H);ε为电容(F);

∫为频率(Hz)。 M25P16-VMW6TG实际上,阻抗公式(5.1)反映的是考虑EsR和EsL等寄生参数的影响的情况。ESR是指电容中的电阻损耗。这种损耗包括金属极板上的分布平板电阻,内部两个极板的接触电阻及外部连接点的电阻。高频信号的趋肤效应会增加元件布线的电阻值。因此,高频EsR高于等值情况下的直流EsR。EsL是指在器件封装内部抑制电流流动所用的损耗部分。约束越厉害,电流密度越高,E乩越高。必须考虑宽度对长度的比率来减小寄生参数。

   对于理想的平板电容,电流一律从一边流人、另一边流出,电感几乎为0。这种情况下z在高频时接近Rs而不表现为固有的谐振,PCB中的电源和地平面的结构就是这样的。

   理想电容的阻抗随频率以-⒛dB/dec的速度减小。而实际电容,因为有引线电感,电感阻止电容向期望的方向变化。在自谐振点以上,电容的阻抗变为感性并且以⒛dB/dec的速度增加,如图5.8所示。

    在自谐振点频率以上,电容不再有电容的功能。电容的ESR在数量级上是非常小的,对电容的自谐振频率没有大的影响。

   从电压分配的角度来考虑电容的作用,在特定频率上,电容能够减小电源分配噪声的作用。