预先非晶化是一种实现p←结的比较理想的方法。如在注硼之前,先以重离子高剂量注入,使硅FGH40T120SMD_F155表面变为非晶的表面层。这种方法可以使沟道效应减到最小,与重损伤注人层相比,完全非晶化层在退火后有更好的晶体质量,可采用注人一种不激活的物质(如Si÷或Ge←)来形成非晶层。假设衬底浓度为10Ⅱ atoms//cm3,注人Ge+使硅表面变为非晶层,结深下降大约⒛%,而且二极管的特性没有发生变化;如果注人⒏÷使硅表面变为非晶层,结深下降40%左右。实验发现用Ge|预先非晶化的样品比用Sl十预先非晶化的样品具有更少的末端缺陷和更低的漏电流。也可用Sb+预先非晶化,虽然乩相对于B来说是不同导电类型的杂质,但用Sb+预先非晶化,比用Ge+预先非晶化所需浓度低一个数量级,消除缺陷的退火温度较低,而且由于乩补偿尾部的B,可使pn结更陡。

   预先非晶化的pll结的漏电流和最终的结深与退火后剩余缺陷数量以及结的位置有关。预先非晶化注入之后再通过固相外延再结晶,在再结晶区中一般没有扩展缺陷。但在预先非晶化区与结晶区的界面将形成高密度的位错环。这个界面相对于结区的位置将决定漏电流的大小和扩散增强的程度。如果界面缺陷区在结的附近,那么漏电流和杂质的扩散都会增加。