通常采用两种方法:四探针M51-A230X法和范德堡法,后者适合于微区探测,将在微电子测试图形中介绍。

   结深测量

   (1)结的显示

   利用磨角法或滚槽法在样品表面磨出一个1°~5°的斜面或凹形槽面,经过化学染色后,显示出结的边界,然后即可进行结深测量。在显示比较浅的结时,通常采用滚槽法,开槽柱体直径一般取6,5~131Ylnl。

    (2)结深测量

   干涉法是在样品表面覆盖一块平板玻璃,或由干涉显微镜提供一参考面,在单色光照射下,在样品斜面或槽形凹面上产生等厚的干涉条纹,即可由条纹数和光波长计算结深。几何法是测出槽宽W1和露出衬底的宽度W2,由几何关系计算结深。

   (3)亚微米结深测量

   可以采用测定杂质浓度分布的方法确定亚微米结深,常用的有扩展电阻法、GV法和阳极氧化剥层的微分电导法等,也可以在显示解理面的结后,用扫描电镜直接测量。