nMOS LDD的形成

   光刻形成掩膜nMOs;I'DD注人P十离子。

    pM(B LDD的形成PAM3101DAB280

   光刻形成掩膜pMC)S;I'DD注入B+离子。

   形成侧墙

   去胶;热氧化多晶硅形成侧墙。

   n・源漏形成

   光刻形成nM(B源漏扩展区窗口,及Halo窗口;注人「离子,形成nM(B的源漏扩展区,和pMt)S的晕圈反型杂质掺杂结构(Hal。区)。

    P源漏形成

   去胶”色刻形成pM(DS源漏扩展区窗口,及Halo窗口;注入B+离子,形成pM(B的源漏扩展区,和nM(E的晕圈反型杂质掺杂结构(Hab区)。

   硅化物形成

   去胶;磁控溅射Ti(或Co);在氮气氛下退火形成ˉrl孰硅化物(或CoS辶)。

   形成川引线

   在12.1.3节介绍的川(SiO2)多层互连工艺,层数由设计确定。

   钝化

   采用PECVD制备S13N亻芯片最后的钝化层,刻蚀压焊孔。芯片工艺完成之后,进行后工序的封装和测试:划片→分选→装片→压焊艹封装→测试→筛选→老化。