干法刻蚀不像湿法刻蚀那样有很高的选择比,过度的刻蚀可能会损伤下一层的材料,因此刻ICL7642ECPD蚀时间就必须准确无误地掌握。另外,机器的情况(如气体流量、温度、被刻蚀材料批次的差异等)不肖微改变,都会影响刻蚀时间的控制,因此必须经常检查刻蚀速率的变化,以确保刻蚀的可重复性。通过使用终点检测器可以计算出刻蚀结束的准确时间,进而准确地控制过度刻蚀的时间,以确保多次刻蚀的重复性。

   常见的终点检测(End Pollt Detecu。l1|方法有3种:发射光谱分析(Op证d Emis蚯ol△Spedrosco-py,oES)、激光干涉测量(I'aser Interfero∏letW)和质谱分析(Mass Spcct∞scopy)。

   发射光谱分析

   发射光谱分析是通过检测等离子体中某种波长的光线强度变化来达到终点检测的目的。要检测的光线的激发是由于等离子体中的原子或分子被激发到某种激发态(Exoted⒏脏e),再返回到低能量

状态时,所伴随发生的光发射。此光线可从刻蚀腔壁上的开窗观测。不同原子激发的光波长不同,光线强度的变化反映了等离子体中原子或分子浓度的变化。欲探测波长的选择有两种方式:一是应

物在刻蚀终点时光强度增加,二是反应物在刻蚀终点时光强度减小。如表112所示为发射光谱分析常用的气体原子或分子的特征光波长。

   发射光谱分析常用的气体原子或分子的特征光波长 发射光谱分析是最常用的终点检测器,因为它可以很容易地加在刻蚀设备上面而不影响刻蚀的进行,同时它还可以灵敏地探测反应过程的微小变化以及提供有关刻蚀反应过程中许多有用的信息.另外,它也有一些缺点和限制:一是光强度正比于刻蚀速率,所以对刻蚀速率较慢的刻蚀而言将变得难以检测;二是当刻蚀面积很小时,信号强度不足而使终点检测失败,如so2接触窗的刻蚀。