建一座200mm的硅片工厂需投资10~15亿美元,建一座30o mm的硅片工厂需投资20~30亿美元,其中设各投资占60%~80%。单台光刻设备的销售价格也是越来越高。M93C66-MN6T如⒛01年248nmKrF⒏epper每台约700万美元,193nm ArF⒏eppcr每台约1200万美元。目前一台用于45nm工艺的193nm ArF浸没式光刻机售价达到2000~3000万美元,而EUV光刻机价格更是高得惊人,预计售价将达到3000~5500万美元,高端EUV光刻机T诫Ⅱcan NXE:3300B售价达到1.05亿美元。

   设备研制联合化

   光刻设备加工硅片大尺寸化和加工单片化、高精度化和全自动化需要投人大量的资金和科技人员,往往靠一个公司的力量是不够的,需要走合作、联合之路,共享成果。如极端远紫外光刻机的开发

费用高达10亿美元,在ASMI'兼并SVGL之前,两个公司就实现强强联手,共同开发EUV光刻机。

   又如,由日本政府出面,有多家研究所、大学和半导体设各制造商参加的4项纳米半导体中长期计划(2001―⒛07年),其开发重点包括№C设备的相关技术、50~70nm工艺设备的相关技术和迷你型生产线技术等。

   本章首先论述光刻掩模板的制造,包括制版工艺简介、掩模板的基本构造及质量要求、铬版的制备技术、彩色版制备技术和光刻制版面临的挑战;其次介绍了光胶,包括光刻胶的特征量、光学光刻 胶和其他光刻胶;继而介绍光学分辨率增强技术,包括移相掩膜技术、离轴照明技术、光学邻近效应校正技术和光瞳滤波技术;以紫外光曝光技术为例介绍了基本的曝光方式,包括接近式曝光、接触式曝光和投影式曝光;对其他曝光技术也做了简要介绍,包括电子束曝光、X射线曝光和离子束曝光,并对新技术进行了展望;最后介绍了光刻设备,包括接触式光刻机、接近式光刻机、扫描投影光刻机、分步重复投影光刻机和步进扫描投影光刻机,并对光刻设备的发展趋势进行了展望。