电子束曝光、X射线曝光、离子束曝光等光刻技术都几乎不受光的衍射极限限制,可以作SDCL1005C1N5STDF为分辨率达亚微米的超大规模集成电路的光刻技术。它们在~90世纪70年代就已出现。但是,由于生产效率低、设备复杂、价格昂贵,直到90年代电子束光刻才普遍用于超大规模集成电路的生产之中,现在已成为超大规模集成电路制版的标准工艺技术。

   电子束曝光

   电子束直写式曝光技术可以完成0.1~0.25um的超微细加工,甚至可以实现数十纳米线条的曝光。目前,电子束曝光技术已广泛应用于制造高精度掩模板、移相掩模板和X射线掩模板。电子束曝光的原理是用具有一定能量的电子与光刻胶碰撞作用,发生化学反应完成曝光。具有一定能量的电子束进人到光刻胶中,与光刻胶薄膜发生碰撞时,主要会发生=种情况:①电子束穿过光刻胶层,既不发生方向的变化也没有能量的损失;②电子束与光刻胶分子碰撞发生弹性散射,碰撞后方向发生改变,但是碰撞过程不损失能量;③电子束与光刻胶分子发生非弹性散射,不但发生方向改变,而且有能量的损失。