另一家生产电子束图形发生器的Jed I冫td,在⒛05年也推出了针对65nm节点的高端掩模板制造设备JBⅪ3040MV,日前研发的设备也已达到32nm节点所需的描画精度。 S29GL128P10TFI010利用光学邻近效应校正(oPC)技术与移相掩模板对图形进行改善。在利用掩模板进行光刻的工艺中常常遇到图形失真问题,主要以边角圆形化、线条缩短和其他一些光学邻近效应的效应形式表现出来。由于来自相邻图形的边缘或某一拐角的两边的散射,导致光刻胶在复制掩模板图形时发生变形现象。

   目前最成熟的解决方案是在掩模板上添加辅助图形,以 图10闷 光学邻近效应校正(OP0技术 确保复制在衬底上的图形和设计意图相一致。利用这种光学邻近效应校正技术可以对掩模板进行必要的修改,在曝光系统和镜头的作用下最终得到所需图形。OPC技术早在0.18um技术节点时就运用到掩模板的制作中。随着集成电路制造工艺向65nm和45nm技术节点的演进,OPC技术越来越多地运用到掩模板的制作中。在28nm和⒛nm节点,OPC将会做得更复杂,数据处理量将更大。然而大量运用OPC所产生的缺陷却对硅片生产提出了新的挑战。针对OPC所产生的缺陷在掩模板上很难发现的问题,日前KLΛ T∞cor建立了一套名为De“gnscan的模拟模型系统。它是将光刻的一些参数放到这一模拟模型中对掩模板进行检测,但整个过程耗时相当长。