制各掺杂多晶硅薄膜通常是采取两步工艺:先LPCVD本征多晶硅薄膜,然后再进行离子注人或扩散掺杂。

   离子注入掺杂的优点是可以精确控制掺人杂质的剂量,适合不同掺杂浓度的多晶硅薄膜。选择ACT8600QJ162-T合适的注人能量可以使杂质浓度的峰值处于多晶硅薄膜的中部,在随后的退火过程中,掺人杂质被激活,并发生杂质再分布。退火方法有高温退火和快速退火。高温退火工艺条件:约900℃,30min。目前多采用快速退火方法,在约1150℃,不到30s,注入杂质就被激活,杂质在多晶硅薄膜中再分布。快速退火持续时间很短,避免了衬底硅中的杂质再分布。

    而本征多晶硅薄膜的扩散掺杂,工艺温度在900~1000℃范围,制备n型多晶硅薄膜的掺杂剂主要是POCl3、PH3,掺杂浓度可达1021孜om√cm3。扩散掺杂方法的优点是薄膜中掺人的杂质浓度很高,可以超过单晶硅的固溶度,这是因为在晶粒/晶界之间存在杂质分凝,由此可以获得较低电阻率多晶硅薄膜。