高密度等离子体(Higll Den“ty PlⅡma,HDP)技术是在⒛世纪80年代末90年代初发展起来的新一代等离子体技术。直流和射频放电产生的等离子体中离子和活性基团的浓度都较低,在集成电路工艺需求的推动下,K4B1G0846F-HCF8开发了多种产生高密度等离子体的新技术,有电感耦合HDP、磁控HDP和电子回旋共振(ECR)HDP技术等。高密度等离子体的离子浓度超过10111ons/cm3。HDP系统一般都是在简单等离子体发生器上增设电场和磁场,用横向电场和磁场来增加电子在等离子体中的行程,从而使电子和原子(或分子)之间碰撞更加频繁,以增加等离子体中的离子和活性基团。如图⒎17是在一个普通等离子发生器上增加横向磁场,在洛伦兹力的束缚下电子在电极附近做圆弧运动.

   而离子质量较大,在磁场中的运动半径较大,在完成一周运动之前就发生放电了。电感耦合FlL,P、磁控IIDP系统和普通等离子系统相比,工作气压低,可达1Pa以下,直流偏压较低,可在几十伏,频率一般为13.56M比。而ECR等离子体系统频率高。ECR等离子体系统是采用较多的HDP系统,在ECR等离子体中电子的运动轨迹如图⒎18所示。设交变电场E=E)∞s(ωr),电子在电场中左右振荡,磁场使电子上下偏转,电场频率为电子回旋共振频率.