低缺陷密度
发布时间:2017/5/12 21:33:40 访问次数:1104
①低缺陷密度――以降低在低电场下的突然性失效次数。OMAPL138BZWTA3
②好的抗杂质扩散的势垒特性――对旷多晶硅栅
的少MOSFET特别重要。
③具有低的界面态密度和罔定电荷的高质量的 0θls/Si()2界面――低的界面态密度可保证MOSET有理线性区怏速初始氧化阶段.
④在热载流子应力和辐射条件下的稳定性――当图四2 氧化层厚度J弥、与扌之间的实验结果MOSFET按比例减小时,沟道横向的高电场会使沟道载流子获得高能量,并产生热载流子效应,如氧化层电荷陷阱和界面态。在热载流子应力和辐射条件(如反应离子刻蚀和X射线光刻工艺)下生产最小损伤的栅介质层。
①低缺陷密度――以降低在低电场下的突然性失效次数。OMAPL138BZWTA3
②好的抗杂质扩散的势垒特性――对旷多晶硅栅
的少MOSFET特别重要。
③具有低的界面态密度和罔定电荷的高质量的 0θls/Si()2界面――低的界面态密度可保证MOSET有理线性区怏速初始氧化阶段.
④在热载流子应力和辐射条件下的稳定性――当图四2 氧化层厚度J弥、与扌之间的实验结果MOSFET按比例减小时,沟道横向的高电场会使沟道载流子获得高能量,并产生热载流子效应,如氧化层电荷陷阱和界面态。在热载流子应力和辐射条件(如反应离子刻蚀和X射线光刻工艺)下生产最小损伤的栅介质层。
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