SmartCut技术是法国公司的M.Blud等提出的,其原理是利用Hˉ注入在s片中形成气泡层,RT2415B7TR7将注氢片与另一支撑片键合(两个硅片之间至少一片的表面要有热氧化⒊O2覆盖层),经适当的热处理使注氢片从气泡层完整裂开,形成SC)I结构。SmartCut技术是一种较理想的∝)I制备技术。它主要包括三个步骤:①离子注人。室温下,以一定能量向硅片注人一定剂量的H,用以在硅表层下产生一个气泡层。②键合。将硅片与另一硅片进行严格清洁处理后,在室温下键合。硅片A、B之间至少有一片的表面已用热氧化法生长了SiO2层,用以充当未来结构中的绝缘层。整个B片将成为结构中的支撑片。③两步热处理。第一步热处理使注入、键合后的硅片(A片)在H⊥气泡层处分开,上层硅膜与 B片键合在一起,形成SOI结构。A片其余的部分可循环做支撑片使用。最后将形成的UbondedSOI片进行高温处理,进一步提高SOI的质量并加强键合强度。如图636所示是SmartCut的工艺流程。