忽略沟道效应、复位碰撞M64884FP中缺陷消失以及入射离子与电子的相互作用,那么损伤程度可以用入射离子所产生的移位原子数目来估计。在这种情况下,一个能量为风的人射离子,在碰撞时传递给受碰粒子的能量可以从零到最大值El。对于产生的第一个移位原子来说,由于碰撞情况是多种多样的,在大量人射离子的情况下,各个人射离子传递给受碰粒子的能量也有大有小,可以是从凡到Ec的所有可能值。因此,入射离子在撞出第一个移位原子后,其能量/可取中的所有可能值。同样,由入射离子产生的第一个移位原子所具有的能量/也可取中的所有值。它们也能产生新一代的移位原子。如果分别对它们所能产生的移位原子数求平均,并注意到人射离子产生的移位原子总数的平均值就等于它们之和,在凡的值为几十个电子伏(原子激活能见表62),远远小于人射离子能量E)的情况下,v(ε)为一个能量为风的离子可以产生的移位原子总数的平均值。

   但此式只适用于人射离子能量风小于临界能量Ec的情形,即核阻止作用为主的情形。在计算时,Ea常取低于表62所示值。这是因为在产生损伤区时,移位原子密度很高,产生一个移位原子时,对硅来说平均不需要切断4个键。