杂质(施主或受主杂质)在硅中扩散时,是以电离施主(或受主)和电子(或空穴)各自进行扩散运动的。R1170H251B-T1-F由于电子(或空穴)的扩散速率比杂质离子的扩散速率大得多,则电子(或空穴)将远远扩散在杂质离子的前头,从而在硅片内形成一内建电场E,它的方向正好起着帮助运动较慢的杂质离子加速扩散的作用,这种现象称为场助扩散效应(如图516所示)。

   图516 场助扩散效应

   在高浓度扩散时,由于场助扩散效应等的作用,使得扩散杂质的浓度分布不再遵循简单的余误差分布或高斯分布,而是在表面附近处的浓度梯度变小,内部的浓度梯度增大。表现在扩散系数D上,当硗10"cm3时,D不再是常数。