集成电路对热生长⒊C)纟层质量的要求很高,主要是控制⒏02的针孔、SiO2层中的可动电荷、界面上及⒏O2层中的固定电荷和陷阱、Si`/SiO2界面态密度等。 S912XET256J2MAL氧化膜缺陷包括表面缺陷、结构缺陷及氧化层中的电荷=个方面。

   表面缺陷

   二氧化硅薄膜的表面缺陷有斑点、裂纹、白雾、针孔等,可用日检或用显微镜进行检验。针孔通常有两种:一种是完全穿通的孔,称为“通孔”;另一种孔并不完全穿通,而是局部区域的氧化层较薄,加以一定的电压后会产生击穿,称为“盲孔”。高温氧化时出现针孔主要是由于硅片表面抛光不够好(机械损伤严重),硅片有严重的位错(因位错处往往集中着Cu、R等快扩散杂质,故不能很好地生长so层),硅片表面有沾污(如尘埃,或者沾污的碳在高温下形成的sC颗粒),或硅片表面有合金点等。为了消除氧化针孔,首先应保证硅片的质量。表面应平整、光亮,并要加强清洁处理。针孔对器件性能的危害很大,但叉不易直接被察觉,因此有必要采用一些方法来检验它。常用于检验针孔的方法主要有化学腐蚀法和电解镀铜法。