其他常用的外延方法还有液相外延、固相外延,以及金属有机物化学气相外延等先进外延技术。液相MAX1779EUE外延和固相外延是物理夕卜延方法,金属有机物化学气相外延是化学外延和固相外延相结合的外延方法。

    液相外延

   液相外延(uq“d Pha∞Epitaxy,LPE)是利用熔融溶液的饱和溶解度随温度降低而下降,通过降温使所需外延材料溶质结晶析出在衬底上生长外延层的工艺方法。I'PE首先由Nd№n在1963年提出,最先是被用于Ⅲ―Ⅳ族化合物半导体材料的外延,直到20世纪60年代末出现了以锡或铅为溶剂的硅液相外延技术。  

   硅的液相外延是采用低熔点金属作为溶剂,常用的溶剂有锡、铋、铅及其合金等。

   例如,以锡为溶剂,硅为溶质,在949℃将硅溶人锡中,制备锡硅的熔融饱和溶液,然后降低温度10~30°C,溶液过饱和,溶质硅从熔融溶液中析出,在单晶硅衬底上生Κ出硅外延层。IPE掺杂,通常是在熔融溶液中直接添加镓、铝等掺杂剂,在硅从过饱和溶液中析出的同时也析出,在硅衬底上生长硅外延层。