硅的外延通常是采用气相外延I艺,在低阻硅衬底上外延生长高阻硅,得到午。

   氢气还原四氯化硅(SiC)是典型的硅外延工艺,总化学反应LD1117AS33TR方程式为典型的气相外延设备示意图如图34所示。反应器内为常压,作为外延衬底的硅片放置在基座上,衬底加热是采∫H射频加热器.RF线圈只对基座(感应器)加热。四氯化硅在常温下是液态,将其装 在源瓶中,用氢气携带进入反应器。

   硅外延工艺操作分两个步骤进行。首先是准备阶段,准各硅基片和进行基座去硅处理;然后冉进行硅的外延生长。

   硅基片准备是选择适合的硅片作为外延衬底,然后进行彻底的化学清洗,冉用氢氟酸腐蚀液腐蚀去除硅表面自然生长的氧化层,用高纯去离子水漂洗干净,最后甩干(或用高纯氮气吹干)备用。基座去硅的主要目的是去除前次外延过程中附着在基座上的硅,以及在反应器内壁上附着的硅和其他杂质。

   典型工艺流程为:N2预冲洗→H”预冲洗→升温至850℃→升温至1170℃→Hα排空→HCl腐蚀9H2冲洗一降温-N2冲洗。