外延若按工艺温度来分类,可以划分为高温外延、低温外延和变温外延。M24C32-MN6T高温外延是指外延工艺温度在1000℃以上的外延;低温外延是指外延工艺温度在1000℃以下的外延;变温外延是指先在低温(1∞0℃以下)成核,然后再升至高温(1000℃以上,多在1200℃)进行外延生长的工艺方法。

   按外延层/衬底电阻率分类

   将外延层电阻率和衬底电阻率对比,可以将外延工艺划分为正外延和反外延。正外延是指低阻衬底上外延生长高阻层,器件做在高阻的外延层上;反外延是指高阻衬底上外延生长低阻层,而器件做在高阻的衬底上。

   按外延层结构分类

   若按外延层结构来分类.可以划分为普通外延、选择外延和多层外延。普通外延是指在整个衬底上生长外延层;选择外延是指在衬底的选择区域上生长外延层;多层外延是指外延层不止一层外延,如〃ll/llT si夕卜延片。除上述分类方法外,还可以按照外延层厚度、外延层导电类型、外延工艺反应器的形状等来进行分类。

   外延工艺用途

   外延工艺诞生之初,所制备的硅外延片是用来制作双极型晶体管的,衬底为高掺杂硅单晶,在衬底上外延生长几到十几个微米厚的低掺杂的外延层,晶体管就制在外延层上。这样制作的外延晶体管有高的集电结击穿电压.低的集电极串联电阻,性能优良。使用外延硅片制作晶体管巧妙地解决了提高频率和增大功率对集电区电阻率要求上的矛盾。图⒊1所示就是尸pll型外延晶体管芯片剖视图。

   在集成电路制造中,各元件之间必须进行电学隔离,通过外延技术实现电学隔离就是其中的一种重要方法。常用的llll结隔离结构剖视图如图32所示,在有n.埋层的p型衬底上外延生长一层n型外延层,冉重掺杂形成p+隔离墙,从而构成n型的隔离岛。在隔离岛中制作各元件,如果衬底接低电位,基于pn结单向导电特性,隔离岛上的元件之间不导通。利用外延技术的pn结隔离是早期双极型集成电路常用的电隔离方法。