由图0-2可知,双极型晶体管芯片的制造主要由9个工艺步骤完成。N80C196KC16

   步骤(1)――外延工艺,是在重掺杂的单晶硅片上通过物理(或化学)的方法生长轻掺杂的单晶硅层,晶体管的两个pn结就是做在这层轻掺杂的外延层上。

   步骤(2)――氧化工艺,是在硅片表面用热氧化方法或物理(或化学)薄膜淀积方法得到一层二氧化硅薄膜,作为后续定域掺杂的掩蔽膜。

   步骤(3)―――次光刻工艺,是在二氧化硅掩蔽膜上光刻出基区窗口图形来,以进行下一步的基区掺杂。

   步骤(4)――硼掺杂工艺,是用热扩散或离子注人等方法在n型硅上掺人p型杂质硼,日的是获得晶体管的集电结。

   步骤(5)――二次光刻工艺,是晶体管制作的第二次光刻,和步骤(3)一样,目的是在二氧化硅掩蔽膜上光刻出发射区窗口图形来,以进行下一步的发射区掺杂。工次光刻是在一次光刻基础上进行的,必须与一次光刻图形对准。

   步骤(6)――磷掺杂工艺,与步骤(4)一样,也是一次掺杂工艺,只是掺人的杂质是磷,在p型基区上掺入n型杂质形成了晶体管的发射结,两步掺杂工艺构成了晶体管的两个pn结。步骤(7)――三次光刻工艺,和前两次光刻方法相同,目的是光刻出引线孔图形。步骤(8)――金属化工艺,是采用物理(或化学)薄膜淀积方法在芯片表面淀积金属层,作为晶体管芯片内的引出电极。

   步骤(9)――四次光刻工艺,这次光刻与前三次光刻承载图形的薄膜不同,是金属薄膜。但光刻方法与前三次光刻工艺的方法大致相同。

   由以上晶体管芯片工艺流程可知,晶体管的制造工艺实质上是由外延、氧化、光刻、掺杂、金属化5个单项工艺按一定顺序排列构成的。这5个单项工艺是集成电路工艺的核心内容,其中,光刻工艺在晶体管芯片制造中用到了4次,掺杂工艺用到了2次。