非晶体( amorphous)：原子旱无序排列的材料，如塑料。

放大光刻胶( amplified resist)：用增加化学品增强化学反应的光刻胶，埃(A)：长度单位，l埃等于l¨m的万分之-(10。4¨m)，或100 000 000 A=i cm。ADC10464CIWMX+

    各向异性( anistropic)：刻蚀的一种工艺，不会或很少造成钻蚀。退火( anneal)：-种高温I：艺过程（通常是最后一步）。用来将晶圆晶格结构中的应力降至最低，锑(Sb)：元素周期表中第V族元素。在硅中是N型掺杂，经常作为掩埋层的掺杂物。

   防反射涂层(ARC)：在曝光过程中为r减少反射，在晶圆表面增加的一层化学涂层。砷(As)：元素周期表中第v族元素．、是硅中的N型掺杂物。

   封装( assembly)：芯片制造后的一系列工序。、将晶圆分割成单个的芯片，并安放和连接到一个封装体上J-。常压氧化( atmospheric oxidation)：一种在一个大气压下的硅氧化过程。做热氧化的设备与热扩散的设备相同，由4部分组成：提供厦应源的机柜、反应室、加热源，以及一个晶圆承载器．、

    原子力显微镜(AFM):一种描绘晶圆表面形貌的显微镜，其输出是由一个带有弹簧的探针在所测表面移动得到的。

   原子层淀积( atomic layer deposition)：-次增加（淀积）一层原子层的一种方法。原子数( atomic number)：每种化学元素的固有数字，等于原子中的质子数（或电子数）、原子微粒( atomic particle)：原子的组成部分，包括电子、质子和中子。