带阻晶体管的检测方法
发布时间:2017/2/10 20:54:47 访问次数:338
带阻晶体管内部接入了电阻R1和R2,测量时集电结和发射结的正向电阻应比普通晶体管阻值大些,M65831AP具体的差值因电阻R1的不同而不同。
图651中,将万用表置于R×1k挡位,黑表笔接人集电极、红表笔接人被测带阻晶体管的发射极,此时电阻的测量值应为∞,再以导线将被测带阻晶体管的基极和集电极短路,若此时电阻的测量值减小,表明该管性能良好,若电阻值无变化,表明该管性能不良。
带阻晶体管内部接入了电阻R1和R2,测量时集电结和发射结的正向电阻应比普通晶体管阻值大些,M65831AP具体的差值因电阻R1的不同而不同。
图651中,将万用表置于R×1k挡位,黑表笔接人集电极、红表笔接人被测带阻晶体管的发射极,此时电阻的测量值应为∞,再以导线将被测带阻晶体管的基极和集电极短路,若此时电阻的测量值减小,表明该管性能良好,若电阻值无变化,表明该管性能不良。
上一篇：带阻晶体管的特点
上一篇：带阻尼行输出晶体管的主要特点
相关技术资料- 5-16与注入离子剂量率之间的关系
- 2-10带阻晶体管的检测方法
- 1-30光照明设计必须符合功能的要求
- 11-18电磁干扰是普遍存在且经常发生的
公网安备44030402000607
