电磁场一般并不只存在于有限元所定义的空间。实际上,一个场源在很远处产生的场分布由局部环境修正,但是反过来远处的场并不影响场源附近场的分布。N8T380NA有限元法所定义的空间是有限的,因此在其边界上施加势函数或势函数导数为边界条件,会给远场解带来误差。

   常用的方法为增大有限元定义的空间,并随着有限元区域的增大(二维为圆环,三维为求壳),增大网格单元的尺寸。但是这类方法对于三维运算比较繁琐耗时,为此Opera3D采用一种改进的近似方法,该方法将有限元区域增大至所求区域,然后对所求区域与场源之间的有限元空间用某种特定的衰减函数近似。

   表面阻抗边界条件

   表面阻抗边界条件适用于分析处于交变电磁场中的良导体,简化了计算方法。良导体的电导率和磁导率需认为是线性和各项同性的。在交变场中,场会从导体表面向里以指数形式衰减。衰减的特征长度,即趋肤深度:为磁导率,σ为电导率,ω为角频率。如果趋肤深度与导体的尺寸相当,则可将导体的网格大小按照一般的网格划分方式,设为Ⅳ3或者更小即可。而表面阻抗边界条件只适用于趋肤深度相当小的情况,例如,・远小于导体的厚度;

   ・远小于曲面的曲率半径;

   ・远小于表面上场变化的切向尺度。在满是以上这些条件下,表面阻抗边界条件才能有较好的工程精度。在0pem3D中,表面阻抗边界条件不是以边界条件的形式输入,而是以材料特性方式输人,应用于模型中所有这类材料的表面。