光刻胶的选择是一个复杂的过程。主要的决定因素是晶圆表面对尺寸的要求。光刻胶AD8055ART-REEL7首先必须具有产生那些所要求尺寸的能力。除了这些，还必须有在刻蚀过程中阻挡刻蚀的功能。在阻挡刻蚀的作用中，保持特定厚度的光刻胶层中一定不能存在针孔。另外，光刻胶必须能和晶圆表面很好地黏结，否则刻蚀后的图形就会发生扭曲，就像是如果在印刷过程中蜡纸没有和表面贴紧的话，就会得到一个溅污的图形。以上那些，连同工艺纬度和阶梯覆盖能力，都是光刻胶性能的要素。在光刻胶的选择过程中，工艺师通常会在不同的性能因素中做出权衡。光刻胶是复杂化学工艺和设备系统的一部分，它们必须一起工作来产生好的图形结 果和可生产性，其设备必须使厂商拥有可接受的购买成本。

   在光刻胶层能够产生的最小图形或其间距通常被作为对光刻胶分辨率（resolution capability）的参考，，在晶圆上最关键的器件和电路的尺寸( CD)是图形化工艺的目标。产生的图形或其间距越小，说明分辨率越高。一种特定光刻胶的分辨率，实际是指特定工艺的分辨率，它包括曝光源和显影工艺。改变其他的工艺参数会改变光刻胶固有的分辨率。总体来说，越细的线宽需要越薄的光刻胶膜来产生。然而，光刻胶膜必须要足够厚来实现阻挡刻蚀的功能，并且保证不能有针孔。光刻胶的选择是这两个目标的权衡。

   用深宽比( aspect  ratio)来衡量光刻胶与分辨率和光刻胶厚度

相关的特殊能力（见图8. 13）。深宽比是光刻胶厚度与图形开口尺寸的比值。随着业界要求更小的图形，图形密度和形状因子开始在光刻胶设计方面产生影响。对于一种给定的光刻胶，孤立图形、水接触孔和高密度图形的区域，由于反射效果和化学反应因素，整个曝光和显影都不同。从而，有专门用于这些情况而设计的光刻胶。

   正胶比负胶有更高的深宽比，也就是说，对于一个给定的图

形尺寸开n，正胶的光刻胶层可以更厚。由于正胶的聚合物分子

纵横比-T尺寸更小，所以它可以分解出更小的图形。其实这就有点像用更小的刷子来画一条更细的线。对于先进的高密度甚大规模集成电路，更合适选用正胶。

   作为刻蚀阻挡物，光刻胶层必须和晶圆表面层黏结得很好，才能够忠实地把光刻胶层的图形转移到晶圆表面层。缺乏黏附性将导致图形畸变。在半导体生产过程中，对于不同的表面，光刻胶的黏结能力是不同的。在光刻胶工艺中，有很多步骤是特意为了增加光刻胶对晶圆表面的自然黏结能力而设计的。负胶通常比正胶有更强的黏结能力。

   光刻胶的曝光速度、敏感度和曝光光源：光刻胶对光或者射线主要的反应就是结构变化。一个主要的工艺参数就是反应发生的速度。反应速度越快，在光刻和刻蚀区域晶圆的加工速度就越快。