专用变频IPM等于⒑BT+驱动+保护(过流、短路、超温、欠压) +制动,IPM中的每个功率组件都设置有各自独立的驱动电路和多种保护电路,能够实现过电流保护、短路电流保护、控制电压降低及过热保护等功能。PAH75D48-5033/P一旦发生负载故障或使用不当引发异常等情况,模块内部即以最快的速度进行保护,同时将保护信号送给外部CPU进行第二次保护,这种多重保护措施可保证IPM自身不受损坏,与IGBT模块相比,其可靠性显著提高。而且IPM的开关损耗、转换效率都优于⒑BT。IPM的出现解决了模块损坏的难题,使采用功率器件设各的可靠性显著提高。

   代表现代功率半导体器件的IPM的研发成功,为电力电子变换器的高频化、小型化、高可靠性和高性能奠定了器件基础,也使整机设计更简化,整机的设计、开发和制造成本降低,整机产品的上市时间缩短。由于IPM均采用标准化的具有逻辑电平的栅控接口,使

得IPM能很方便地与控制电路板相连接。IPM在故障情况下的自保护能力,降低了器件在开发和使用中损坏的概率,大大提高了整机的可靠性。IPM内置的保护功能允许IGBT避免因控制失灵和应力过大而损坏,最大限度地利用⒑BT器件的容量,而且其中任一种保护动

作,⒑BT栅极驱动单元就会被关断,并输出一个故障信号F0。由于采用RTC电路的实时电流控制功能来抑制短路电流,所以IPM能实现短路的安全切断。IPM的过电压钳位保护改变了过去过压保护用外接人吸收电路的办法,解决了吸收电路存在的损耗问题。IPM中采用带有电流传感器的⒑BT芯片,这一电流实时监控技术能高效、迅速地检测过电流和短路电流,并采用逐步降栅压的软关断技术,大大降低了因关断大电流而引发的浪涌电压。

   在靠近IGBT芯片的绝缘基板(DCB板)上安装有一个温度传感器,用于进行芯片温度检测,若基板温度超过热动作数值,则内部电路封锁栅极驱动脉冲,并输出故障信号F0,此法解决了热敏法无法解决的检测短时通电温升的问题。IPM的DCB陶瓷衬底板可提供更大的载流能力,具有更好的散热性能。目前市场上已能批量供应gOoA/1⒛OⅤ的IPM,其最高水平已达到1200A/1gO0Ⅴ和1600A/1~sO0Ⅴ的通用和专用IPM模块的水平。