⒛世纪⒇年代初,人们对oLED效率的因素进行了研究,发现了两点限制效率的因素:AD8539ARMZ-REEL7朝向有机分层的极间电荷注入受限输运(I四ccti0n Ⅱmitcd Transpo⒒)以及因材料性质形成的整体受限输运(Bluk Ⅱmited Transpo⒒)。经典半导体理论用电荷注入机理,并用隧道效应模型和肖特基金属半导体接触的热离子发射对其进行了解释。提出整体受限输运机理为:欧姆传导和空间电荷限制电流(sCLC)。

   载荷孑输运模型

   有机半导体内的电荷迁移率很低,当载荷子从金属注入电场作用下的有机固体时,电荷在界面附近的固体中积累,形成大量的空间电荷。单极电荷输运的数学公式己经被提出,多层oLED,即双极输运的理论更为复杂,目前还未出现考虑双极电流、输入受限输运和整体受限输运的统一模型。

   Mark和Hclfrich提出了有机晶体的空间电荷限制电流理论,该理论用了价带和导带的概念来解释能隙和陷阱,与经典的能带理论有―些相似之处,但是该理论未考虑迁移率与电场和温度的关系。

  对于无陷阱的有机半导体,其迁移率较低,Child定律定义了永久区的电流.