纳米压印技术(NIL,Nano-Imprint Ⅱthography)

纳米压印技术突破了传统光刻在特种尺寸减小过程中的难题,具有分辨率高、G2PM109N-ALF低成本和高产率的特点。其基本原理是通过硅或其他模板,将图形通过热压或者辐照的方法,以薄的聚合物膜为媒介转移到衬底表面。整个流程包括压印和图形转移两个过程,如图5-39所示。苜先在蓝宝石衬底表面利用PECVD方法沉积5nm厚度的si3N4薄膜(见图5-39(a)),并旋涂一层聚合物薄膜以增加silN4薄膜与光刻胶的结合力;然后涂抹光刻胶并在110℃软烘2min,利用纳米柱形硅模板在10kN的力作用下进行压印(见图5-39(b)),获得具有表面圆孔结构si3忄电掩膜(见图5-39(c)),原子力显微镜观察表明⒐3N4掩膜表面形成直径为硐Onm的孔洞结构(见图5-39(d));最后进行ICP刻蚀,可以获得直径为们0nm的均匀圆孔阵列。