从光提取技术的角度来说,蓝宝石衬底图形化的制备正在往纳米级别发展。纳米量G24202MK-R级的图形化衬底除了具有改变光出射方向的作用外,还具有微米量级图形化衬底所没有的特点,即光子晶体的禁带效应。光子晶体是由具有不同介电常数的介质材料在空间呈周期性排布的微结构材料。由于电磁波在其中的传播可以用类似于电子在半导体中传播的能带理论来描述,因而称为光子晶体。光子晶体被认为是控制光子传播的有效工具,光子晶体的典型特征是具有光子带隙。利用光子晶体所特有的禁带效应可以实现对光子的控制。选取合适结构参数的纳米量级图形化衬底可被视为二维光子晶体而具有光子带隙的特征,能够在垂直于芯片表面的方向,使更多的光子出射到芯片外部而不被衬底反射吸收。采用纳米量级图形化衬底制备的LED芯片,较之采用微米量级图形化衬底和普通蓝宝石衬底制备的芯片的光输出功率,在相同条件下,输出光功率最高。