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剥离过程后的芯片表面

发布时间:2016/11/5 19:23:54 访问次数:948

   蒸镀。在显影后的外延片表面镀上一层或多层金属(如Au、№、Al等),一般将芯片置于高温真空下, JANTX2N7236将熔化的金属蒸着在芯片上。蒸发镀膜属于真空镀膜技术,是在真空室内,通过加热蒸发出金属蒸气并使其沉积在材料表面。

   剥离。剥离光刻胶保护部分被蒸镀的金属,分别在p-GaN和⒈GaN表面形成在p极和n极金属触片,如图5-25所示。

    

   图5-25 剥离过程后的芯片表面,黄色分别表示p极和n极金属触片

   合金:使蒸镀过程中蒸镀的多层金属分子间更紧密结合,减少接触电阻。

   减薄:减小蓝宝石衬底厚度,利于切割、散热。

   切割:切割过程前需要进行贴膜(白膜,宽度为16cm,黏性随温度的升高增加)、划片(激光打在蓝宝石衬底上,所用激光为紫外光,波长为355nm,激光划痕在25~35um)、倒膜(蓝膜,宽度为22cm,倒膜时衬底朝上,有电极的一面朝下)、裂片(裂片前需在芯片上贴一层玻璃纸,防止裂片时刀对芯片的破坏)、扩膜(把裂片后直径为2英寸的芯片扩充3英寸,便于后续的分拣)等过程。

   以上过程为LED芯片制造的基本流程,不同的芯片在工艺上也可能会有差异,比如So2光刻等。


   蒸镀。在显影后的外延片表面镀上一层或多层金属(如Au、№、Al等),一般将芯片置于高温真空下, JANTX2N7236将熔化的金属蒸着在芯片上。蒸发镀膜属于真空镀膜技术,是在真空室内,通过加热蒸发出金属蒸气并使其沉积在材料表面。

   剥离。剥离光刻胶保护部分被蒸镀的金属,分别在p-GaN和⒈GaN表面形成在p极和n极金属触片,如图5-25所示。

    

   图5-25 剥离过程后的芯片表面,黄色分别表示p极和n极金属触片

   合金:使蒸镀过程中蒸镀的多层金属分子间更紧密结合,减少接触电阻。

   减薄:减小蓝宝石衬底厚度,利于切割、散热。

   切割:切割过程前需要进行贴膜(白膜,宽度为16cm,黏性随温度的升高增加)、划片(激光打在蓝宝石衬底上,所用激光为紫外光,波长为355nm,激光划痕在25~35um)、倒膜(蓝膜,宽度为22cm,倒膜时衬底朝上,有电极的一面朝下)、裂片(裂片前需在芯片上贴一层玻璃纸,防止裂片时刀对芯片的破坏)、扩膜(把裂片后直径为2英寸的芯片扩充3英寸,便于后续的分拣)等过程。

   以上过程为LED芯片制造的基本流程,不同的芯片在工艺上也可能会有差异,比如So2光刻等。


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