碳化硅也是作为GaN基外延片衬底的重要材料,用于外延生长GaN的碳化硅(6H-SC)具有类似纤锌矿的六方晶体结构,其禁带宽度为3.05cV。sC衬底与蓝宝石衬底相比,HCF4013B其化学稳定性好、导电性能好、导热性能好、不吸收可见光。sC衬底与GaN的晶格失配仅为3.5%,远小于蓝宝石与GaN晶体之间的晶格失配(16%)。室温下,6H-SiC的热导率高达⒆0Wlm IK1,其导热性能远优于蓝宝石材料。SC衬底优异的导电性能和导热性能,使其不需要像宝石衬底上大功率GaN LED器件采用倒装焊技术解决散热问题,而是采用上下电极结构,可以比较好地解决散热问题。此外,6H-SiC具有蓝色发光特性,作为低阻材料可以制作电极。在SC衬底市场方面,美国Crce公司垄断了优质SC衬底的供应。⒛凹年起,该公司在市场上供应2~3英寸基本L无微管的衬底。日前2英寸的4H和6H SC单晶与外延片,以及3英寸的4H SC单晶已有商品出售;以SiC为G瘀基材料衬底的蓝绿光LED业己上市。然而,6H-SiC的层状结构在易于解理从而简化器件结构的同时,也常给外延薄膜引入大量的台阶缺陷。另外,Sr材料昂贵的价格限制了它在市场中的应用。