在简并半导体中,不仅杂质能级发生变化,能带也发生了变化。我们知道,能带反AD8534AR映的是电子在晶格原子中做共有化运动。当杂质浓度较高时,电子在晶格中运动时,不仅受到晶格原子的作用,而且也要受到杂质原子的作用。因为杂质原子是无规则地分布在晶格之中的,所以电子受到的杂质作用的强弱也是无规则变化的。这种无规则变化的杂质作用,使能带失去了明确的边缘而产生一个深入到禁带中的“带尾”。

   由于杂质带和能带尾,就使高掺杂半导体的杂质能级(杂质带)和能带连接起来。图3¨19以高掺杂N型半导体为例画出了施主杂质带和导带的状态密度的示意图。从图3-19可见,由于带尾的出现,半导体的禁带将变窄。

   (a)非简并半导体             (b)简并半导体

   图3-19 状态密度gf0与能量￡的关系

   通过以上分析可以看到,在简并半导体中,一方面杂质能级和能带(施主能级和导带或受主能级和价带)相连接而不再有杂质电离问题。另一方面,高掺杂带来大量载流子,使费米能级进入联合的能带(能带+杂质带)。