由图可见,p-n在正向偏压电压小于开启电压/TH时,电流近乎为0,正向偏压大于开启电压/TH时,电流随电压的增大而急剧增加。串联电阻减缓了电流随正向偏压的变化率, LM2903DR而等效并联电阻抬高了开启电压前的⒈V特性的电流随正向偏压电压的变化率,需要注意 的这部分电流并不产生光辐射。还有一种情况如图⒋12右图所示,在接近开启电压/TH前有一段电流随正向偏压电压变化而较缓增加,称此段为亚临界驱动(sub△hreshold Tum-on)段。理想LED的等效并联电阻为无穷大,实际LED等效并联电阻不为无穷大的原因为有源区内存在线位错缺陷。在使用过程中发生的等效并联电阻减小的原因多由静电损伤引起,静电沿GaN有源区内线位错缺陷放电产生了部分阝n结区域的漏电通路,随着时间的推移或更大的静电放电将使漏电通路扩展至整个结区,造成LED性能劣化、寿命大幅降低甚至寿命终结,详见6.33节。

   反向偏压下,实际发光二极管的⒈V特性也不同于理想发光二极管,反向电流随反向偏压的增加缓慢增加,当反向偏压达到某一电压‰后,则反向电流随反向偏置电压的增大而急剧增加,称此现象为击穿,‰为击穿电压。Ⅲ-V化合物发光二极管的击穿电压在几伏 特至几十伏特范围,故在制作、运输、应用诸环节均应注意反向击穿造成的损伤。LED的I-V特性可由晶体管图示仪等仪器实时测量,通过对I-V特性的分析,可以帮助我们对LED的电参数、品质、可靠性、故障原因等进行分析判断。